至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼 上说的很好...
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